経歴

安藤伸治

安藤 伸治
理化学研究所 基幹研究所
エネルギー変換研究チーム 基幹研研究員

学歴

平成 8年4月 山形大学工学部物質工学科 入学
平成12年3月 山形大学工学部物質工学科 卒業
平成12年4月 横浜国立大学大学院工学研究科物質工学専攻 博士前期課程 入学
平成14年3月 横浜国立大学大学院工学研究科物質工学専攻 博士前期課程 修了
平成15年4月 東京工業大学大学院総合理工学研究科物質電子化学専攻 博士後期課程 入学
平成18年4月 東京工業大学大学院総合理工学研究科物質電子化学専攻 博士後期課程 修了

職歴

平成14年4月
 - 平成15年3月
三菱化学株式会社
平成15年4月
 - 平成18年3月
東京工業大学大学院 COE化学 リサーチアシスタント
平成17年9月
 - 平成17年11月
Max Planck Institute Prof. Klaus Mullen Group Visiting Researcher
平成18年4月
 - 平成20年2月
Northwestern University Prof. Tobin J. Marks Group Postdoctoral Fellow
平成20年3月
 - 平成20年4月
理化学研究所 FRS研究システム 機能性ソフトマテリアル研究チーム 特別研究員
平成20年4月
 - 平成22年3月
理化学研究所 基幹研究所 機能性ソフトマテリアル研究チーム 基幹研究員
平成22年4月 - 理化学研究所 基幹研究所 エネルギー変換研究チーム 基幹研究員
  現在に至る

業績

  • Redox-responsive Molecular Helices with Highly Condensed π-Clouds
    E. Ohta, H. Sato, S. Ando, A. Kosaka, T. Fukushima, D. Hashizume, M. Yamasaki, K. Hasegawa, A. Muraoka, H. Ushiyama, K. Yamashita, and T. Aida
    Nature Chem. 2010, in press.
  • Synthesis and Characterization of Solution-Processable Dicyano Perylene-3,4;9,10-bis(dicarboximides) Drivatives
    S. Ando, A. Facchetti, and T. J. Marks
    Org. Lett. 2010, 12, 4852-4855.
  • Significant Improvement of Electron Mobility in Organic Thin-Film Transistors Based on Thiazolothiazole Derivative by Employing Self-Assembled Monolayer
    D. Kumaki, S. Ando, S. Shimono, Y. Yamashita, T. Umeda, and S. Tokito
    Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 053506/1-053506/3.
  • Synthesis, Physical Properties and Field-Effect Transistors of Novel Thiophene/Phenylene Co-Oligomers
    S. Ando, D. Kumaki, J. Nishida, Y. Inoue, S. Tokito, and Y. Yamashita
    J. Mater. Chem. 2007, 17, 553-558.
  • Physical Properties and Field-Effect Transistors Based on Novel Thiazolothiazole/Heterocyclic and Thiazolothiazole/Phenylene Co-Oligomers
    S. Ando, J. Nishida, E. Fujiwara, Y. Inoue, S. Tokito, and Y. Yamashita
    Synth. Met. 2006, 156, 327-331.
  • N-Type Organic FETs with Very Electron Mobility Based on Thiazole Oligomers with Trifluoromethylphenyl Groups
    S. Ando, R. Murakami, J. Nishida, H. Tada, Y. Inoue, S. Tokito, and Y. Yamashita
    J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 14996-14997.
  • Synthesis and Physical Properties of Novel Liquid Crystals Containing Pyranobenzopyrans as a Core Structure
    S. Inoue, T. Yanai, S. Ando, A. Nakazawa, K. Honda, Y. Hoshino, and T. Asai
    J. Mater. Chem. 2005, 15, 4746-4752.
  • High Performance Organic Film Field Effect Transistors Based on the π-Extended Tetrathiafulvalene Derivatives
    Naraso, J. Nishida, S. Ando, J. Yamaguchi, H. Koinuma, H. Tada, S. Tokito, and Y. Yamashita
    J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 10142-10143.
  • Synthesis, Characterization and FET Properties of Novel Dithiazolylbenzothiadiazole Derivatives
    Md. Akhtaruzzaman, N. Kamata, J. Nishida, S. Ando, H. Tada, M. Tomura, and Y. Yamashita
    Chem. Commun. 2005, 3183-3185.
  • High Performance N-Type Organic Field-Effect Transistors Based on π-Electronic Systems with Trifluoromethylphenyl Groups
    S. Ando, J. Nishida, H. Tada, Y. Inoue, S. Tokito, and Y. Yamashita
    J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 5336-5337.
  • Novel p- and n-Type Organic Semiconductors with an Anthracene Unit
    S. Ando, J. Nishida, E. Fujiwara, H. Tada, Y. Inoue, S. Tokito, and Y. Yamashita
    Chem. Mater. 2005, 17, 1261-1264.
  • Characterization and Field-Effect Transistor Performance of Heterocyclic Oligomers Containing a Thiazolothiazole Unit.
    S. Ando, J. Nishida, E. Fujiwara, H. Tada, Y. Inoue, S. Tokito, and Y. Yamashita
    Chem. Lett. 2004, 33, 1170-1171.
  • Synthesis, Physical Properties and Field-Effect Transistors of Novel Thiophene/Thiazolothiazole Co-Oligomers.
    S. Ando, J. Nishida, Y. Inoue, S. Tokito, and Y. Yamashita
    J. Mater. Chem. 2004, 14, 1787-1790.

特許

  • π-Electron Type Compounds for N-Type Organic Field-Effect Transistors
    Y. Yamashita and S. Ando
    Jpn. Kokai Tokkyo Koho. 2006, 24, CODEN: JKXXAF JP 2006206503 A2 20060810 AN 2006:788056.

研究助成金

  • 財団法人理工学振興会平成16年度研究助成金:研究題目「ヘテロ環構造を有する新規FET化合物の開発」
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お問い合わせ先
東京工業大学
資源化学研究所 無機資源部門

教授 福島 孝典

〒226-8503
横浜市緑区長津田町4259 R1-1
電話番号:045-924-5232
FAX:045-924-5976